铠侠计划2027年量产BiCS10 NAND闪存：332层冲击更大存储容量
如今AI的铠侠火爆让存储厂商赚得是盆满钵满，尤其是计划铠侠这样的企业更是如此。丰厚的年量okx利润也让厂商愿意投入更多的资源从事新一代闪存的研发，根据最新的产B存层冲击存储消息，铠侠计划在明年量产第十代BiCS FLASH产品，容量看起来比原定的铠侠2026年底延期了一段时间，BiCS10最高拥有332层的计划规格，主要用于超大容量SSD的年量制造，并且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的产B存层冲击存储优化，估计明年投产之后又是容量okx强大的印钞机。
目前铠侠已经在BiCS 8中引入了最新的铠侠CBA技术，同时在2025年出样了基于最新CMOS技术打造的计划BiCS 9闪存颗粒，相关的年量产品也已经出炉，不过NAND闪存的产B存层冲击存储发展速度似乎已经跟不上AI的发展速度，各大AI超算平台以及数据中心都等待着更加出色的容量NAND闪存的推出，因此铠侠也加快了相关产品的研发与量产。
根据最新的报道，铠侠BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层，从而带来更大的存储空间以及速度，密度相比较现在的BiCS8能够提高59%，I/O速度也可以达到最高4.85Gbps，这几项数据都针对AI进行了特别的优化，估计铠侠未来搭载BiCS 10的SSD也是首发数据中心，普通消费者或许要等到2028年才能看到相关的产品。
本文地址：http://ykvu.ijjp3.cn/html/00c58699413.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。